យោងតាមសារព័ត៌មាន United Daily របស់តៃវ៉ាន់លោកលីប៉ីយីងអគ្គនាយកនៃសាខាអាស៊ីខាងត្បូងបានប្រកាសនៅថ្ងៃទី ១០ ថាលោកបានបញ្ចប់ការស្រាវជ្រាវឯករាជ្យនិងការអភិវឌ្ឍបច្ចេកវិទ្យា DRAM ទំហំ ១០ ណាណូម៉ែត្រហើយនឹងចាប់ផ្តើមផលិតសាកល្បងនៅពាក់កណ្តាលឆ្នាំនេះ។
វាត្រូវបានគេរាយការណ៍ថាបន្ទះឈីបអង្គចងចាំ DRAM ជាសកលត្រូវបានគ្រប់គ្រងជាចម្បងដោយក្រុមហ៊ុន Samsung អេសអេមហ៊ីនិចនិងមីក្រូន។ ចំណែករបស់ពួកគេមានជាង ៩៥% ។ មូលហេតុចំបងគឺថាប៉ាតង់បច្ចេកវិទ្យាទាំងបីបង្កើតបានជាកម្រិតខ្ពស់បំផុត។ វាពិបាកសម្រាប់ក្រុមហ៊ុនផ្សេងទៀតដើម្បីឆ្លងកាត់។ ។
សាខាអាស៊ីខាងត្បូងឥឡូវនេះផ្តោតលើបច្ចេកវិទ្យា ២០ លានហើយប្រភពបច្ចេកវិទ្យាគឺមីក្រូន។ ជាមួយនឹងការណែនាំអំពីដំណើរការ ១០ ណាណូម៉ែត្រទៅក្នុងបច្ចេកវិទ្យាឯករាជ្យមានន័យថាវានឹងលែងពឹងផ្អែកលើការអនុញ្ញាតរបស់មីន័រនាពេលអនាគតហើយផលិតផលនីមួយៗត្រូវបានអភិវឌ្ឍដោយក្រុមហ៊ុនខ្លួនឯង។ ការចំណាយត្រូវបានកាត់បន្ថយយ៉ាងខ្លាំង។
លោក Li Peiying បាននិយាយថា Nanyake បានបង្កើតបច្ចេកវិទ្យាផលិតអង្គចងចាំថ្មីដោយជោគជ័យសម្រាប់ 10 DRM DRAM ដែលអាចជួយឱ្យផលិតផល DRAM រួញតូចប្រកបដោយនិរន្តរភាពយ៉ាងហោចណាស់បីសករាជ។ ផលិតផលនាំមុខ 10nm ជំនាន់ទីមួយគឺ 8Gb DDR4, LPDDR4 និង DDR5 នឹងត្រូវបានបង្កើតឡើងដោយផ្អែកលើបច្ចេកវិទ្យាដំណើរការឯករាជ្យនិងវេទិកាបច្ចេកវិទ្យាផលិតផលហើយនឹងឈានដល់ការផលិតសាកល្បងផលិតផលបន្ទាប់ពីពាក់កណ្តាលទីពីរនៃឆ្នាំ ២០២០ ។
បច្ចេកវិទ្យាដំណើរការ ១០ ណាណូម៉ែត្រជំនាន់ទី ២ បានចាប់ផ្តើមស្រាវជ្រាវនិងអភិវឌ្ឍន៍ហើយការផលិតសាកល្បងត្រូវបានគេរំពឹងថានឹងត្រូវបានណែនាំនៅឆ្នាំ ២០២២។ បច្ចេកវិទ្យាដំណើរការ ១០ ណាណូម៉ែត្រជំនាន់ទី ៣ នឹងត្រូវបានអភិវឌ្ឍនាពេលអនាគត។ លោកបានសង្កត់ធ្ងន់ថាបន្ទាប់ពីចូលដល់ដំណើរការ ១០ ណាណូម៉ែត្រនឹងផ្តោតលើបច្ចេកវិទ្យាដែលមានការរីកចម្រើនដោយខ្លួនឯងកាត់បន្ថយថ្លៃដើមអាជ្ញាប័ណ្ណនិងបង្កើនប្រសិទ្ធភាពយ៉ាងខ្លាំង។
ស្របតាមការអភិវឌ្ឍន៍នៃដំណើរការ ១០ ណាណូម៉ែត្រចំណាយមូលធននីណានឹងខ្ពស់ជាង ៥,៥ ពាន់លានយ័នកាលពីឆ្នាំមុន។ លោក Li Peiying បាននិយាយថាបន្ថែមលើការកែលម្អការចំណាយការអភិវឌ្ឍឯករាជ្យប្រកបដោយជោគជ័យនៃបច្ចេកវិទ្យាដំណើរការ ១០ ណាណូម៉ែត្រនឹងជួយចាប់យកឱកាសអភិវឌ្ឍន៍និងវឌ្ឍនភាពបច្ចេកវិទ្យាឆ្ពោះទៅរកផលិតផលថ្មីដែលមានដង់ស៊ីតេខ្ពស់។